半導體空汙排放標準睽違20年修正 大型業者可望受惠

睽違20年首度調整，環保署今（4）日修正半導體製造業空汙管制及排放標準，共三大重點，第一是拿掉全廠排放量天花板，同時也略微加嚴個別排放管標準，第二是針對既存、新設廠房差別化管理，第三是簡化檢測。

對業者而言，此次修正有利有弊。對於台積電（2330）等大型公司來說，原本空汙排放已優於法規，不受此次標準加嚴影響，且未來擴廠不再受限於全廠排放量天花板，反而是受惠。

但對於中小型業者而言，此次標準加嚴確實造成一定衝擊，環保署也給予兩年緩衝期，至多還可展延一年。

環保署表示，半導體製造業是台灣重要產業，不僅發展蓬勃，且具有變動快速的特性，衍生的環保議題值得關注，此次修正有務實、自主、精準管理三項原則，並有三大重點。

首先是排放量管制方式。環保署指出，過去針對半導體業，不分規模大小，皆規定全廠揮發性有機物（VOCs）總排放量不得超過每小時0.6公斤，此次調整務實加嚴，改以個別排放管道VOCs濃度須小於14 ppm、酸氣濃度須小於0.5 ppm。

其次針對既存、新設製程，增訂採差別化管理，對於新設製程標準，要求VOCs濃度不得超過10 ppm、酸氣濃度不大於0.3 ppm，較前述既存製程標準更嚴。

環保署表示，透過差別化管理，希望促使新建廠房或新設製程選擇汙染排放較低或防制效能較佳的設備，提高業者自主管理誘因。

環保署預估，此次修訂排放標準，預計可減少286公噸VOCs及12公噸酸氣排放量，相當於一座煉油廠四個月的排放量。

第三，符合一定標準的業者可採簡化檢測方式，業者相當期待這項修正，可降低行政成本；不過若被環保署抽檢發現未符簡化所應達標準，則要恢復到一般檢測。

環保署表示，半導體空汙管制標準自1999年發布施行，期間經過二度修正，前次修正是在2002年，距今已逾20年，有必要與時俱進調整，經盤點實務問題後，調整管制標準規定，並完善管理機制，創造產業、環保共利。