研調：晶片法案降低台積未來在大陸投資意願 跨國半導體業持續去中化

據集邦科技（TrendForce）今（13）日表示，美國商務部近期基於《晶片法案》釋出補貼細則，其中明文規定獲補助者未來十年在中國大陸、北韓、伊朗與俄羅斯等，將被限制包含先進製程與成熟製程在內的相關投資活動，且本次法案更新條款限制範疇將比出口禁令更廣泛，恐進一步降低台積（2330）等跨國半導體業者未來十年在中國大陸的投資意願，中國大陸半導體未來十年發展將受限，並預期供應鏈去中化使世界先進（5347）、力積電（6770）獲轉單。

該機構分析，美近年陸續祭出的出口禁令、《晶片法案》等，使得供應鏈去中化影響程度加劇。以晶圓代工的供應端來看，回溯當時的出口禁令，雖以「非平面式電晶體架構」製程（16/14nm及更先進的製程）設備管制為主，但隨著日本、荷蘭陸續宣布將加入制裁行列，恐導致同時可用於生產16nm以下及40/28nm等成熟製程的關鍵曝光設備DUV immersion被劃入禁令範疇，再加上本次《晶片法案》限制，意即中系晶圓代工業者、跨國晶圓代工業者在中國大陸的擴產計劃，不論是先進或成熟製程皆可能受到程度不等的抑制。

需求端方面，集邦科技分析，自2023年上半年開始，IC設計業者或因終端客戶要求、自主風險規避等因素，陸續轉單或新開案至台系晶圓代工業者，尤以成熟製程為生產主力的Tier 2、Tier 3業者如世界先進（VIS）、 力積電（PSMC）明顯受惠。對現階段遭庫存修正衝擊、產能利用率低落的晶圓代工廠無疑為一大助益，預期至2023下半年至2024年對產能利用率的挹注將更顯著。

集邦科技也指出，台積電在本次更新的法案中首當其衝，主要是因其在中美兩地均有擴產計畫所致。目前台積電在中國大陸的擴產以Fab16的28nm為主，且已於2022年啟動，擴產相關設備均已陸續移入，加上2022年十月後台積電已取得為期一年之相關設備進口許可，預計2023年中前將擴產完畢。不過，據《晶片法案》新細則來看，台積電獲美補貼後十年內，Fab16的16/12nm以及28/22nm產能擴充將受限，且當中85%產出須滿足中國大陸當地市場需求，加上美出口規範要求跨國晶圓代工業者需申請設備進口許可證等，此將降低台積電未來在中國大陸的投資意願。