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美光日本廠跳電 集邦估受影響產能規模有限

美光(Micron)位於Hiroshima的日本廠7月8日發生跳電意外;據TrendForce調查,以第3季產能來看,該廠月產能占美光月產能約30%;若以全球產能來看,投片占比約7%,由於跳電發生時機台同時啟動不斷電系統,跳電時間約5~10分鐘,受影響的產能有限。

TrendForce表示,美光日本廠主要投產製程為1Z nm,投片比重為50%以上,其次為1Y nm,占比接近35%;跳電發生時機台同時啟動不斷電系統,但因壓降的影響,機台需要重啟與檢查,預估受影響的產能有限。

TrendForce說,該廠主要是R&D的研發中心,下一代製程1beta nm也將優先在該廠內投產。觀察其產品別,現階段以產出智慧型手機相關的mobile DRAM為主。

TrendForce表示,自年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱,使得各原廠的記憶體庫存皆位於較高水位,且跳電對美光產能影響較低,美光也能使用其庫存來滿足客戶端的需求,對整體DRAM供需市場並無造成衝擊。

TrendForce同步觀察,向來對市況會有即時反應的現貨市場,在跳電發生至今,並未有需求增加,或是發生客戶急單的市場反應,價格端完全沒有發出止跌訊號,預估此次跳電並不會扭轉記憶體供過於求的現況。

TrendForce說,將維持原來對下半年的價格預估,第3季DRAM價格將季跌約10%。

美光 DRAM

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