美光日本廠跳電 集邦估受影響產能規模有限

美光（Micron）位於Hiroshima的日本廠7月8日發生跳電意外；據TrendForce調查，以第3季產能來看，該廠月產能占美光月產能約30%；若以全球產能來看，投片占比約7%，由於跳電發生時機台同時啟動不斷電系統，跳電時間約5~10分鐘，受影響的產能有限。

TrendForce表示，美光日本廠主要投產製程為1Z nm，投片比重為50%以上，其次為1Y nm，占比接近35%；跳電發生時機台同時啟動不斷電系統，但因壓降的影響，機台需要重啟與檢查，預估受影響的產能有限。

TrendForce說，該廠主要是R&D的研發中心，下一代製程1beta nm也將優先在該廠內投產。觀察其產品別，現階段以產出智慧型手機相關的mobile DRAM為主。

TrendForce表示，自年初起地緣衝突、高通膨導致全球消費性電子需求疲弱，使得各原廠的記憶體庫存皆位於較高水位，且跳電對美光產能影響較低，美光也能使用其庫存來滿足客戶端的需求，對整體DRAM供需市場並無造成衝擊。

TrendForce同步觀察，向來對市況會有即時反應的現貨市場，在跳電發生至今，並未有需求增加，或是發生客戶急單的市場反應，價格端完全沒有發出止跌訊號，預估此次跳電並不會扭轉記憶體供過於求的現況。

TrendForce說，將維持原來對下半年的價格預估，第3季DRAM價格將季跌約10%。