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攻車電 鴻海、國巨入股富鼎

圖/經濟日報提供
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鴻海與國巨兩大集團昨(20)日宣布參與合資的國創半導體31億元私募案,同時國創半導體也將以28.868億元參與功率元件大廠富鼎的私募,持有約30.08%股份,成為最大股東。此次富鼎私募每股定價82.48元,相較昨日收盤價112.5元,折價幅度約26.7%。

鴻海、國巨看中富鼎MOSFET產品線擁有上千個規格產品,增資完成後,國創擁有低中高壓Si MOSFET產品線全數到位,更完善鴻海集團的半導體事業群及車用事業。

在國創完成私募後,鴻海將持有51%股權,國巨及關聯企業持有49%股權。國創董事長、副董事長職務將分別由鴻海董事長劉揚偉、國巨董事長陳泰銘擔任。

富鼎為國內的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)廠商,成功開發出應用在CPU/GPU等運算核心電壓同步整流IC所需MOSFET,2021年通過客戶驗證;電源供應器二次側同步整流的60-100V MOSFET產品,也導入客戶電源設計,新一代600/650V的高壓製程MOSFET攻入電源供應器ODM大廠,已經進入量產階段。

業界強調,電動車電力系統、先進駕駛輔助系統(ADAS)等車用電子晶片需求持續成長,再加上4G轉5G會提高MOSFET搭載數量,鴻海與國巨透過國創入股富鼎,著眼於搶占未來車電市場商機。

業界點出,富鼎持續研發第三代半導體產品,包括SiC、GaN具備低功耗、高轉換效能等特性,在SiC領域上,目前富鼎的600V SiC蕭特基二極體已完成開發,通過可靠性驗證,已可進入市場。鴻海近期的營運策略,高度強化半導體,企圖心不言而喻,現階段已經完成晶圓廠、封測廠布局,此次入股富鼎取得產品與技術,完成供應鏈最後一塊拼圖。

業界分析,富鼎具備MOSFET領域的研發技術和產品,跨入第三代半導體的研發進程,鴻海積極強化半導體事業群,也搶進車電市場,富鼎現有與正在研發的技術,是達成鴻海集團半導體事業群的最後一哩路,也將加快在車電市場取得市占率。

鴻海與國巨表示,國創與富鼎策略結盟,看中富鼎MOSFET產品線擁有超過千個規格產品,補足國創在IC產品策略藍圖,與國創發展的電源管理IC、第三代半導體碳化矽SiC元件模組相互搭配,而富鼎可藉由鴻海電動車事業與國巨通路中的車廠供應鏈進入車用市場。

第三代半導體 鴻海 國巨

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