宇瞻發表新款3D NAND快閃記憶體

因應3D NAND快閃記憶體市場應用趨勢及大量資料收集與分析需求，記憶體模組廠宇瞻（8271）推升3D NAND SLC-liteX技術達業界最高10萬寫入/抹除次數（P/E cycles），讓成本相對較具優勢的3D TLC NAND也能擁有SLC NAND的耐用性能，為5G智慧物聯、邊緣運算、安防監控、博弈遊戲等應用提供靈活彈性的解決方案。

宇瞻表示，3D NAND快閃記憶體廣泛用於各種工業應用及垂直細分市場，根據Allied Market Research發佈的3D NAND快閃記憶體市場展望，2020年全球3D NAND快閃記憶體市場規模為123.8億美元，預計到2030年將達到 784.2億美元，2021至2030年的複合年增長率（CAGR）為20.3%。

因應大量資料收集和智慧分析的需求，工業應用中儲存裝置長時間讀寫性能和耐久性是確保設備或系統穩定運行的關鍵，為滿足5G、AIoT智能聯網各式應用對於高容量、高效能及高耐用度要求，宇瞻突破現有技術限制，成功推升3D NAND SLC-liteX技術達業界最高100,000寫入/抹除次數（P/E cycles）的優異表現，超過傳統2D MLC或3D TLC快閃記憶體3,000 P/E cycles的33倍以上，為尋求絕佳3D NAND儲存產品耐用度和成本優化的工業應用提供最佳的解決方案。

宇瞻強調，由於快閃記憶體（NAND Flash）天生具有資料儲存年限問題，SSD抹寫次數的多寡直接影響其耐用性，每一次的資料寫入/抹除，快閃記憶體儲存單元（Cell）就會耗損，直到SSD固態硬碟的使用壽命用盡；一般來說，使用SLC NAND SSD可以獲取較高的寫入/抹除次數，但相對成本也會較高。

宇瞻進一步說，對於如5G基礎建設的O-RAN佈建或邊緣運算所需的交換器(Switch)等，需要大量的儲存設備或頻繁寫入和抺除的應用來說，如何在儲存裝置的耐用性和成本控制之間抉擇，為許多廠商不得不面對的課題；Apacer SLC-liteX技術的核心理念就是讓成本相對較具優勢的3D TLC NAND也能擁有SLC NAND的耐用性能。

宇瞻推升SLC-liteX技術，除對3D TLC進行單元分佈管理，大幅調整電壓增量和電荷感應外，採用嚴格挑選的工業用 NAND顆粒和相關元件，以及專門的韌體結構優化，強化其在日常操作過程中的穩定性，同時透過精進的錯誤處理演算法，避免任何意外的 ECC錯誤發生，有效擴增3D TLC NAND固態硬碟使用壽命。