吳敏求：3D NAND Flash將取代DRAM成為主流

記憶體廠旺宏 (2337） 董事長吳敏求今 (3) 日出席李國鼎紀念論壇，以以「快閃記憶體之現況及未來」為題進行專題演講時表示，人工智慧啟動下波工業革命，驅動半導體需求，並預期未來3D儲存快閃記憶體（NAND Flash） 可能取代 DRAM，成為市場主流。

吳敏求說，包括人工智慧、邊緣運算、5G 及汽車電子將帶動大數據對記憶體的需求。他強調，先進半導體製程技術使2D NAND與編碼型（NOR）快閃記憶體跨越無法微縮的障礙，邁向3D 結構，容量持續增加，並維持NAND與NOR的成長動能。

吳敏求指出，目前記憶體市場仍以DRAM 為大宗，但 3D NAND Flash 擁有最高密度及最低製造成本，未來可能成為記憶體市場新主流。

他強調，3D NAND 及NOR，未來能獲得系統廠青睞願意合作，關鍵在於產品品質，他認為隨著巨量資訊對算力需求呈現爆發性成長，為進一步降低運算功耗，記憶體將由單純的幕後資料儲存角色，轉向具有運算功能 的幕前角色，最終實現「存運一體」的具體表現。