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應材助攻 第三代半導體升級

應材釋出讓第三代半導體從6吋晶圓生產升級至8吋晶圓,使得每片晶圓產出倍增的技術,助攻台灣第三代半導體生產能量。(路透)
應材釋出讓第三代半導體從6吋晶圓生產升級至8吋晶圓,使得每片晶圓產出倍增的技術,助攻台灣第三代半導體生產能量。(路透)

全球半導體設備龍頭美商應用材料(Applied Materials)昨(9)日釋出讓第三代半導體從6吋晶圓生產升級至8吋晶圓,使得每片晶圓產出倍增的技術。業界預期,應材新技術將可助攻台積電(2330)與其轉投資世界先進在第三代半導體製造跨大步,擴大台灣第三代半導體生產能量。

應材昨天在SEMICON Taiwan 2021國際半導體展線上論壇上,宣布推出提升第三代半導體能量的新技術。應材半導體產品事業群ICAPS科技項目處長何文彬昨也展示新材料在5G與車用的新應用願景。

從產業趨勢上,應材指出,推出新產品協助全球領先的碳化矽(SiC)晶片製造商,從6吋晶圓製造升級為8吋製造,增加每片晶圓裸晶(die)約一倍產量,滿足全球對優質電動車動力系統日益增加的需求。

依據應材研究,SiC功率半導體可高效地將電池功率轉化為扭力,並提高電動車的性能和續航能力,因此市場需求極高。和矽比較,SiC本身較為堅硬,其原生缺陷更需要更先進的材料工程技術來優化裸晶圓的生產,並建構對晶格損害最小的電路。

目前應用材料公司旗下ICAPS (物聯網、通訊、汽車、電源和感測器)事業處正在為SiC功率晶片市場開發更多產品,包括物理氣相沉積、化學氣相沉積、蝕刻和製程控制等。

應料副總裁暨ICAPS事業處總經理瑞馬摩西(Sundar Ramamurthy)指出,為推動電腦革命,晶片製造商轉向更大型的晶圓尺寸,來大幅增加晶片產量,以滿足不斷膨脹的全球需求。如今,受益於應材在工業規模上先進的材料工程專業知識,將進入另一場革命的先期階段。

應材的技術將能協助第三代半導體從6吋提升至8吋生產,讓相關廠商更能擴大產出迎接商機。業界觀察,目前第三代半導體以4吋廠與6吋廠為生產主流,以現階段的狀況來看,台灣廠商以台積電與其轉投資的世界先進可望拔頭籌,用8吋廠生產第三代半導體,在應材新技術助攻下,大幅提高台灣第三代半導體生產能量。

台灣廠商正積極投入第三代半導體領域,台積電已透過6吋廠量產,主要鎖定氮化鎵(GaN)。

半導體 晶圓

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