台積電看GaN未來十年有更多應用 商機聚焦五領域

台積電(2330)研發資深處長段孝勤今(7)日在SEMICON 台灣線上論壇提到,台積電在化合物半導體領域專注在氮化鎵(GaN)相關開發,歷經長期的發展氮化鎵已逐漸開始被市場接受,預期未來十年將有延展更多應用 (addressable applications)。

他指出,台積電觀察氮化鎵商機會在五個領域包含快充、資料中心、太陽能電力轉換器、48V DC/DC以及電動車 OBC/轉換器,對於相關應用藍圖並有對應製程設計。

段孝勤提到,台積電過去二十年在功率提升上投入,人們希望使用裝置的耗能越少越好,台積也已在BCD電源管理技術上投入,功率元件自然也是重要關鍵,目前行動裝置所需BCD製程已到0.13第三代,並正在開發90/55/40/22 BCD,車用部分已有0.18第二代BCD與0.13BCD並正開發最高SOI可達100 V的55 BCD 製程。NVM在電源管理應用上,已推出MRAM對應28/22奈米製程等。

段孝勤也展示台積電應對MOSFT的動態與靜態製程特性,協助客戶開發在功耗瓦數上降低與讓產品最終成功。至於台積電觀察有別碳化矽(SiC)應用材料特性,更關注在氮化鎵(GaN)的商機,看好GaN充電特性更快了、更輕薄以及更有效率,效率大於過往三倍,同時在資料中心設計上也是如此。

就新材料開發上,他提到,GaN on Si的挑戰主要是表面的不平整程度考驗。台積電已開發GaN-on-Silicon技術應對功率與RF元件需求,磊晶代工廠也已發展出6吋 GaN-on-Silicon晶圓生產等。

台積電

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