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與聯電換股策略動機 頎邦吳非艱:鎖定第三代半導體

面板驅動IC封測廠頎邦董事長吳非艱表示,與聯電換股合作鎖定AMOLED面板驅動IC和第三代半導體,頎邦已布局氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP)。

頎邦今天晚間在櫃檯買賣中心舉行重大訊息記者會,頎邦、聯電和聯電持股100%子公司宏誠創投董事會分別通過股份交換案,建立策略合作,換股完成後,頎邦將持有聯電約0.62%股權,聯電及宏誠創投將持有頎邦9.09%股權,成為頎邦第一大股東。

談到與聯電合作,吳非艱指出目前全球晶圓供應吃緊,晶圓代工廠影響客戶對後段封測下單,頎邦積極布局主動有機發光二極體(AMOLED)面板驅動IC封測,而聯電使用28奈米高壓製程在AMOLED面板驅動IC,也進階至22奈米,雙方可互蒙其利。

此外在功率元件和射頻元件領域, 吳非艱指出頎邦已經布局第三代半導體包括氮化鎵(GaN)和碳化矽(SiC)等晶圓級晶片尺寸封裝(WLCSP),聯電6吋晶圓廠布局氮化鎵第三代半導體,預期雙方合作效益會很快浮現,吳非艱預期第三代半導體產能需求大增,會從整合元件製造廠(IDM)委外釋出給晶圓代工廠。

吳非艱預估今年非面板驅動IC封測業績占頎邦整體業績比重可到25%,明年成長幅度可期,明年AMOLED面板驅動IC封測業績可望快速成長。

談到與記憶體IC封測和電子製造服務(EMS)廠華泰(2329)合作進展,吳非艱表示,頎邦在覆晶凸塊(Bumping)以及厚銅重佈線(RDL)受益,頎邦自行開發新製程包括覆晶封裝(Flip Chip)和系統級封裝(SiP)轉到華泰,預期第4季效果可顯現,頎邦則布局覆晶系統級(FCSiP)和扇出型系統級(FOSiP)等先進封裝技術。

頎邦 晶圓代工廠 聯電

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