晶圓一哥攜力晶 築技術高牆

圖/經濟日報提供
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台積電、力晶兩大集團攜手,透過DRAM與邏輯晶片的真3D堆疊異質整合技術,打造全球最強異質整合晶片,協助客戶打破摩爾定律的限制,領先英特爾、三星等勁敵,為全球首創。該3D整合晶片提供相對於現有高頻寬記憶體(HBM)十倍以上的高速頻寬及數倍容量,為台灣半導體業築起更難超越的高牆。

力晶集團昨(25)日透過旗下客製化產品研發暨智財授權商愛普,宣布這項訊息。這是台灣半導體技術又一大突破,相關產品已開始量產出貨,鎖定區塊鏈、AI、網通等先進應用,過程當中,愛普「小兵立大功」,負責引案、設計、研發等工作,並串連台積電在邏輯晶片代工與3D堆疊製造能力,以及力晶旗下力積電記憶體代工製造能量,打造出世界第一的異質整合晶片。

此次兩大集團合作分工,由愛普提供的VHM(3D堆疊技術記憶體),包含客製化DRAM設計及DRAM與邏輯晶片整合介面的VHM LInK IP;力積電供應客製化DRAM晶圓代工製造,最後由台積電提供邏輯製程晶圓代工及3D堆疊製造服務。

台積電自十年前開始耕耘先進封裝,陸續開發CoWoS、封裝內封裝乃至逐步發展自先進封裝3Dfabric整合平台,在今年技術論壇上也特別說明先進封裝產能擴充計畫。

力積電表示,邏輯晶片與DRAM的3D整合,是力積電在AI記憶體策略上的最新成果,這項3D技術將可為DRAM的頻寬創造前所未見的可能性,對於AI、網通及圖像處理等特別需要大量頻寬的應用,將有極大的幫助。

愛普表示,半導體封裝技術已從傳統的2D封裝演進到2.5D,再到真正的3D封裝,而2.5D封裝是將多片晶片封裝於同一塊矽中介板上,但真正的3D封裝技術則是以垂直的連接方式,將多片晶片直接立體地互相堆疊,相較於2.5D封裝,邏輯晶片與DRAM的3D整合,將可在顯著降低傳輸功耗的同時,同時大幅提升記憶體的頻寬。

此次推出的3D整合晶片,提供相對高頻寬記憶體 十倍以上的高速頻寬,搭載超過 4GB 記憶體容量,並且是7奈米製程邏輯晶片內存SRAM最大容量的五到十倍。

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