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南亞科下世代DDR5產品近期試產 12吋新廠年底正式動工

南亞科董事長吳嘉昭今日主持股東會後表示,新建12吋晶圓 廠案預定年底動工,112年底前完成裝機,並視情況建置產能。 記者簡永祥/攝影
南亞科董事長吳嘉昭今日主持股東會後表示,新建12吋晶圓 廠案預定年底動工,112年底前完成裝機,並視情況建置產能。 記者簡永祥/攝影

DRAM大廠南亞科(2408)今日舉行股東會,董事長吳嘉昭在會後表示,今年下半年整體DRAM產業與市場售價可望持續正向發展。本公司積極佈局自主技術開發,目前第一代10奈米級製程技術(1A)已完成試產線裝機,前導產品和第二顆下世代DDR5都正在試產中;另外,第二代10奈米(1B)級製程技術的首顆產品也將於近期內開始試產。

他強調,公司也將持續優化20奈米產品組合,除增加在伺服器及PC OEM客戶的認證,也將加速低功率產品推廣,未來目標市場包括攜帶型產品、汽車及工業等應用,可以有效提高產品價值與銷售彈性。

至於稍早董事會通過決定斥資3,000億元興建12吋新廠案,他表示,此新廠興建計,是為了滿足市場需求及公司長遠的發展。

他說,公司已規劃在南林科技園區中興建新的廠房,持續導入先進製程及產品,並擴充產能,新廠預計年底動土,目標於112年底前開始裝機,產能規模將視市場需求分階段設置。

南亞科今日也承認去年財報及盈餘分配。南亞本去年合併營收610.1億元,稅後純益76.9億元,每股純益2.51元。去年盈餘決議配發40億元現金股利,因公司轉讓庫藏股及員工執行認股權憑證,參加分派股數增加至30.85億股,因此調整每股配息為1.29660236元,並訂明日除息。

南亞科 奈米

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