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DRAM報價有隱憂?美銀喊賣華邦電、目標價30元

華邦電。圖/聯合報系資料照片
華邦電。圖/聯合報系資料照片

記憶體進入漲價循環,外資圈多唱旺前景,但美銀證券2日出具華邦電(2344)報告,認為公司發展趨勢不同,除了認列轉投資新唐(4919)併購Panasonic的事業可能持續虧損,傳統及低密度DRAM過度加價將迎來修正風險,預估華邦電明、後年記憶體收入複合成長率僅8%,首次評等「減碼」,目標價30元。

台股2日大漲,半導體股走強帶動記憶體,華邦電不反應利空開低走高收全天高價,終場漲1.1元收35.3元。

美銀表示,華邦電是NOR Flash和DRAM暨邏輯IC的利基型製造廠,今年上半年受到認列轉投資及利基記憶體的報價不正常加價,華邦電營運強勁提升,但這兩個因素都將在未來難以為繼,特別是傳統和低密度DRAM的報價趨勢預期反轉,華邦電成長性將在今年觸頂。

美銀進一步指出,傳統和低密度DRAM可能成為華邦電後市營運的隱憂,目前這兩類記憶體的營收貢獻比將近三成,上半年加價幅度達170%,後續不太可能維持,即使明年仍有加價,幅度也該回落較正常的40-50%,同步調查OEM廠也越來越不願意接受更高的報價,多數已轉向更有價格優勢的記憶體產品。

NOR Flash的趨勢相對正向,因為韓廠不願意增產支持報價有撐,但美銀認為,NOR Flash的動能不足以緩衝DRAM業務下滑,保守看華邦電今年記憶體收入成長21%後,明後年增速降到8%。

此外,美銀也不看好,Panasonic半導體事業穩定帶來獲利,即使有,營益率也非常低,反而不利華邦電邏輯IC的營益率。整體推估其今、明、後年每股純益(EPS)僅2.6元、2.3元及2.6元。

華邦電 記憶體 DRAM

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