重大突破！美光正式量產首款176層3D NAND快閃記憶體

美光科技今（10）日宣布全球首款176層3D NAND快閃記憶體已正式出貨，實現前所未有、領先業界的儲存容量和效能。美光新推出的176層技術及先進架構為一重大突破，可大幅提高資料中心、智慧邊緣運算以及手機裝置等儲存使用案例的應用效能。

美光技術與產品執行副總裁Scott DeBoer指出，美光的176層NAND為業界樹立了新標竿。此層數比最接近我們的競爭對手高出近40%。結合美光的CuA（CMOS-under-array）架構，該技術使美光得以維持在產業中的成本領先優勢。

美光的176層NAND是美光第五代3D NAND以及第二代替換閘（Replacement Gate）架構，為市場上技術最先進的NAND節點。與上一代的高容量3D NAND相比，美光176層NAND的讀取延遲和寫入延遲改善超過35%，可大幅提高應用的效能。美光的176層NAND 設計精巧，採用比同業最佳競品還要小30% 的晶粒，是小尺寸解決方案的理想選擇。

美光執行副總裁暨業務長Sumit Sadana也表示，美光的176層NAND有助於客戶實現突破性的產品創新。我們正廣泛地將這項技術使用在所有可能採用NAND的產品線中，並為使用NAND的所有領域帶來新價值，尤其是 5G、人工智慧、雲端及智慧邊緣運算的成長機會。

美光176層NAND為資料中心SSD的關鍵設計標準，可以加速資料密集環境和工作負載，例如人工智慧引擎以及大數據分析。對5G智慧型手機而言，強化的服務品質，使其能更快地在多個應用程式之間進行載入和轉換，創造更流暢且快速的手機使用體驗，實現真正的多工作業，並充分利用5G低延遲網路。

美光第五代3D NAND的ONFI（Open NAND Flash Interface）匯流排，在汽車應用中，此速度將在引擎啟動後立即為車載系統提供接近即時的回應時間，有助於加強使用者體驗。