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英特磊股東會 總座:今年營運透過五面提升營收與獲利

英特磊董事長暨總經理高永中 記者陳昱翔/攝影
英特磊董事長暨總經理高永中 記者陳昱翔/攝影

英特磊IET-KY (4971)總經理高永中指出,今年在營運上將透過五大面向來提升營收與獲利,在新廠完工後,安裝6-8台MBE機台及完成組裝氮化鎵(GaN)機台並於下半年投入GaN/SiC生產。

英特磊在新廠完成安裝6-8台MBE機台,包括超高均勻度 8x6in MBE機台;二、在新廠完成組裝氮化鎵機台並於下半年投入GaN/SiC生產;三、擴大銻化鎵(GaSb)磊晶產能以配合商用與國防相關紅外磊晶片需求;四、與客戶共同研發超高頻磷化銦HBT(包括新MBE硬體構件整合);五、開發組裝自製MBE機台以因應未來品質與產能需求。

高永中表示,在順利完成以上五大面向的重點計畫後,英特磊在面射型雷射(VCSEL)用於光通訊與3D感測、磷化銦(InP)HBT用於5G手機PA、氮化鎵(GaN)用於功率IC(基地台)及消費性電子、銻化鎵(GaSb)用於國防工業等市場區塊的整體競爭力,將可提升到另一個境界,對於公司的營收獲利也將有顯著提升的作用。

英特磊今(22)日召開股東會,會中通過派發現金股利1元。英特磊去年營收7.12億元,較前年增加9.6%;整體產品比重中砷化鎵(GaAs)佔52%,磷化銦(InP)佔36%,銻化鎵(GaSb)佔12%。

英特磊完成25G高速面射型雷射及磷化銦HBT在新廠生產、開發供應商用1.5-2.5um磷化銦及銻化鎵長波長紅外雷射、與合作夥伴共同發展4-6in GaN/SiC及GaN/Si磊晶生長技術、與MBE供應商共同發展超高均勻度 8x6in MBE機台等四大關鍵布局。

英特磊今年營運重點將在推動InP-HBT、GaN/SiC HEMT、25G APD and VCSEL、56G PIN等5G相關產品,並聚焦MBE有優勢之國防產品,例如: GaSb type-II SLS IR detector及其他新創產品如 QCL、RTD、GaN/Si。

此外,強化MBE軟體硬體能力、8x6in MBE機台設計、即時監控系統、MBE長晶控制軟體、自製MBE零組件及整體機台;以及增強垂直整合能力,例如:發展雷射(含VCSEL)及銻化鎵GaSb探測器元件製程、HBT磊晶後製程等也都是英特磊今年主要的工作計畫。

磊晶片 5G

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