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華邦電發展自有技術20奈米DRAM 展現搶市占率企圖心

2019-06-14 19:32經濟日報 記者鐘惠玲╱即時報導

利基型記憶體廠華邦電(2344)於14日召開股東會,該公司總經理詹東義表示,今年對主要客戶的滲透率希望持續成長,而其自行開發的20奈米製程DRAM技術將於明年底到位,未來將在高雄新廠投產。

現階段全球擁有自行開發DRAM製程技術者,僅少數如三星、SK海力士與美光,詹東義說,華邦電經過10年轉型,是全球第四家擁有DRAM技術的公司,將技術掌握在自己手上,並專攻高品質的中低容量產品,其目前DRAM市占率僅0.7%,成長空間大,未來希望更為增加。

華邦電董事長焦佑鈞認為,記憶體供不應求時期已結束,今年是萎縮的一年,去年第4季到今年第1季的市況確實差,下半年應會比上半年好。以稼動率來看,今年第1季低於80%,但目前稼動率已回升到約85%水準。

詹東義也提到,以出貨顆粒總數來計算,對華邦電來說,最壞的情況已過,雖然隨著市況,平均銷售單價仍下滑,但該公司會持續穩固市占率。

目前華邦電中科廠月產能已提升到5.2萬片,高雄新廠預計於明年興建完成,2011年投產營運。詹東義指出,屆時希望可盡快填滿初期的2.7萬片月產能。

華邦電DRAM

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