環球晶董座徐秀蘭認錯:8吋碳化矽推動比預期強 2026年產出將超越6吋

環球晶董事長徐秀蘭表示,環球晶在矽化碳基板大型化及薄化技術均獲重大突破。記者簡永祥/攝影
環球晶董事長徐秀蘭表示,環球晶在矽化碳基板大型化及薄化技術均獲重大突破。記者簡永祥/攝影

積極拓展第三代化合物半導體的環球晶(6488)董事長徐秀蘭今日表示,她錯估客戶對8吋碳化矽(SiC)需求爆發力,2年前她預估8吋SiC還不那麼快到了,但現在情況出乎她預期,她強調環球晶將加快8吋碳化矽基板產能建置,預估明年將送樣給所有需要8吋基板的客戶進行認證,並於2025年放量生產,集團設定6吋和8吋年產100萬片目標,預估2026年8吋可望超過一半。

徐秀蘭今日在光電科技工業協進會主辦的「第31屆國際光電大展」,宣布環球晶在碳化矽基板獲得重大突破。徐秀蘭表示,環球晶在這次光電展中,展出大型大及薄化二大技術。首先大型化部分,環球晶透過自行開發長期設備,透過AI大數據分析,在8吋矽化碳基板開發,良率已突破50%,至於良率達到什麼階段,她表示基於商業機密,不便透露。

其次,在薄化方面,環球晶展出已在6吋量產的基板,展出薄度僅90um(微米)的矽化矽基板,她強調,碳化矽是硬脆材料,雖然90um不代表未來會成為業界導入主流規格,但在堅硬的材料做到薄度僅90um,難度非常高,這也意味未來業界認為350um主流規格(環球晶未來在8吋就會主攻350um產品),環球晶將可提供導入功率元件量產良好的基板。

徐秀蘭強調,環球晶目前在碳化矽進展比預期好且順利,公司規畫明年送樣給所有需求的客戶,甚至包括8吋基板,客戶希望環球晶備妥年產100萬片的產能,初期會以6吋為主,但相信明年8吋基板經客戶完成認證後,2025年將可快速成長,預估到2026年,8吋比重將超越6吋。

徐秀蘭表示,目前環球晶碳化矽基板主要生產據點在台灣,未來碳化矽磊晶將會在美國廠進行,一定會再拓展二個基板廠、二個磊晶廠;至於拓展新廠或增建新產能,考慮地緣政治,分散供應風險的因素,新增的基板廠或磊晶廠可能在義大利或日本。

她強調,矽化矽具備耐高溫、高壓及高頻等特性,將是因應電動氣及電氣化發展,功率元件導入設計的重要上游非常重要的晶圓,這也是環球晶看好未來市場並加速開發的關鍵。

環球晶已成功開發8吋矽化碳基板,準備明年大展身手。記者簡永祥/攝影
環球晶已成功開發8吋矽化碳基板,準備明年大展身手。記者簡永祥/攝影
環球晶董事長徐秀蘭今日大秀公司在矽化碳基板的技術重大突破,預估2025年爆發。記者簡永祥/攝影
環球晶董事長徐秀蘭今日大秀公司在矽化碳基板的技術重大突破,預估2025年爆發。記者簡永祥/攝影

光電 環球晶 磊晶

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