第三版HBM2記憶體標準公布 單組堆疊容量可達24GB

固態儲存協會 (JEDEC)稍早宣布第三版HBM2記憶體標準JESD235C,將使針腳傳輸頻寬增加至3.2Gbps,相比先前版本的2Gbps、2.4Gbps約提昇33%,同時以單組DIE可對應2GB儲存容量,並且可對應堆疊12組DIE的情況,意味單組堆疊容量可達24GB,搭配1024位元傳輸頻寬,最高可實現410GB/s傳輸頻寬,若搭配可支援4組堆疊記憶體的GPU,即可發揮高達1.64TB/s傳輸頻寬,意味可讓GPU在短時間內對應處理更大影像資訊量。

而運作電壓部分,第三版HBM2記憶體標準與第二版設計同為1.2V,相比第一代設計採1.35V更為省電

在單一堆疊容量即可達24GB,若是搭配可支援4組堆疊記憶體的GPU,則可支援高達100GB記憶體容量,對於處理龐大影像資訊量的專業繪圖卡,應用在電影特效,或是進行複雜科學分析研究,將會更加有利。

目前包含三星與海力士都已經著手生產採第三版標準設計的HBM2記憶體,並且以HBM2E形式為稱,其中由三星推出的Flashbolt HBM2E產品預計會在今年上半年進行量產,單組記憶體最大容量為16GB,在超頻模式下更可讓單一針腳傳輸頻寬增加至4.2Gbps,單組堆疊記憶體的最大傳輸頻寬則可達538GB/s。

《原文刊登於合作媒體mashdigi,聯合新聞網獲授權轉載。》

省電 記憶體

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