2026-2029年全球記憶體產業戰略分析：Nvidia Vera Rubin投產與AI超級週期下的供應鏈重構

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李淑蓮╱北美智權報 編輯部

全球半導體產業在 2026 年進入了一個被定義為「結構性重置」的關鍵轉折點。這一變革的核心動能不僅僅來自於市場對算力的需求，更源於記憶體架構從「通用存儲」向「運算核心組件」的本質轉變[1]。隨着 Nvidia (輝達) 的 Vera Rubin 平台進入全面投產階段，全球記憶體產業迎來了自 1990 年代以來最強勁的「超級週期」[2]。根據市場研究機構預測，2026 年全球半導體市場規模將逼近 1 兆美元，而記憶體市場將成為最主要的增長引擎，其產值預計超過 4,400 億美元[3]。

AI 基礎設施革命與 2026 年記憶體市場的結構性重置

這一波超級週期的獨特性在於，它並非由傳統的消費性電子週期驅動，而是由生成式 AI (Generative AI) 的極限需求所引發。特別是高頻寬記憶體 (HBM) 與伺服器 DRAM 的供給缺口，正在對整個產業鏈產生深刻的「擠壓效應」[4]。由於 HBM 技術存在嚴重的「位元懲罰（Die Penalty）」，生產 1GB 的 HBM 需要消耗相當於生產 3GB 標準 DRAM 的晶圓空間，這導致了傳統 DRAM 生產能力的被動萎縮，從而引發了 2026 年全球記憶體價格的全面飆升[5]。

表1. 記憶體市場核心指標預測 (2026)；資料來源：The AI Memory Supercycle: Why 2026 is the Year the ‘Sold-Out’ Sign Became Permanent for Micron, MarketMinute, FinancialContent, January 02, 2026；整理製表：北美智權報／李淑蓮

Nvidia Vera Rubin 平台的技術革命與記憶體規格演進

Nvidia 於 2026 年推出的 Vera Rubin 平台，不僅是 Blackwell 的繼承者，更代表了 AI 運算架構的重大跨越。Vera Rubin 平台的全面投產，直接確立了 HBM4 作為下一代運算記憶體標準的地位[6]。

Rubin GPU 與 HBM4 的深度整合

Rubin 平台的核心在於其極致的頻寬設計。每一顆 Rubin GPU 可配置 288GB 的 HBM4 記憶體，而 Vera Rubin Superchip (包含兩顆 GPU) 的總容量則可達 576GB[7]。這使得單一插槽的記憶體頻寬達到了 22 TB/s，較 Blackwell 時代提升了2.8倍[8]。這種性能的跳躍完全依賴於矽晶圓層級的創新，而非數據壓縮技術，這意味著對高品質 HBM4裸晶的需求將呈現指數級增長[9]。

根據Nvidia的藍圖，2026年的Rubin 將具備 50 PFLOPS 的 FP4 精確度算力，而 2027 年的 Rubin Ultra 則將搭載驚人的 1,024GB HBM4E 記憶體，算力規模將翻倍至 100 PFLOPS[10]。這種對記憶體容量與頻寬的渴求，迫使記憶體廠商必須在 2026年前完成從 HBM3E到HBM4 的技術切換。

Vera CPU 與 LPDDR5x 的超大規模配置

Vera CPU 作為 Nvidia 的客製化 Arm 架構處理器，同樣對記憶體容量提出了嚴苛要求。每一顆 Vera CPU 搭載了高達 1.5 TB 的 LPDDR5x 記憶體，其容量是前代 Grace CPU 的三倍之多[11]。在一個滿配的 NVL72 機架中，總計包含 36 顆 Vera CPU，其 LPDDR5x 的總容量達到了54 TB，而 72 顆 Rubin GPU 的 HBM4 總容量則為 20.7 TB[12]。

這種異質記憶體架構（HBM4 + LPDDR5x）的出現，意味著 2026 年記憶體市場的短缺將不再侷限於 HBM。由於大量生產能力被分配給了超大容量的 LPDDR5x 模組，移動端與個人電腦端的低功耗記憶體供應將面臨嚴重威脅[13]。

表2. 記憶體市場核心指標預測 (2026)；資料來源：The AI Memory Supercycle: Why 2026 is the Year the ‘Sold-Out’ Sign Became Permanent for Micron, MarketMinute, FinancialContent, January 02, 2026；整理製表：北美智權報／李淑蓮

2026 年全球記憶體巨頭的產能布局與競爭策略

面對2026年的AI超級週期，全球三大記憶體供應商 — 三星電子、SK 海力士與美光 — 紛紛採取了極具擴張性的資本支出計畫，並同時進行產能結構的戰略調整。

SK 海力士：鞏固 HBM 霸權與邁向 HBM4 領導地位

作為 HBM 市場的先行者，SK 海力士在 2026 年的戰略重點是將其在 HBM3E 的領導地位延續至 HBM4。根據瑞銀 (UBS) 的分析，SK 海力士有望在 2026 年取得 Nvidia Rubin 平台高達 70% 的 HBM4 市場份額[14]。

為了應對這一需求，SK 海力士在韓國清州的 M15X 廠房投入了超過20兆韓元[15]。該廠房的第一間無塵室於2025年第四季開始安裝設備，並計畫在 2026 年2 月開始試產與量產，隨後在年底前完成第二間無塵室的擴建[16]。此外，SK 海力士與 TSMC 結成的封裝聯盟，使其在 HBM4 所需的邏輯底層晶片生產上具備明顯的製程優勢[17]。

SK 海力士在 CES 2026 上展示了具備 2TB/s 頻寬的 16 層 48GB HBM4 模組，並推出了專為 AI 伺服器設計的 SOCAMM2 低功耗模組及 LPDDR6[18]。這標誌著該公司正試圖從單純的晶片供應商轉向提供全方位的「AI 系統記憶體解決方案」。

三星電子：平澤 P5 廠與HBM4的絕地反攻

三星電子在經歷了2025年的產能調整與研發陣痛後，將 2026年視為其重新奪回市場話語權的關鍵年。三星計畫在2026 年將 HBM生產能力較 2025 年提升50%，並預計其 HBM 位元出貨量將提升三倍，達到 112 億 Gb，其中HBM4將占總量的一半以上[19]。

三星的擴產計畫核心在於平澤廠區的持續投入。重新啟動的 P5 廠房投資額高達60兆韓元，預計 2028 年全面投入營運[20]。在短期內，三星透過升級 P4 廠房的 DRAM 產線，預計到 2026 年第二季將增加每月 6 萬片晶圓的產能，以支撐 Nvidia 的巨額訂單[21]。根據野村證券的數據，三星 2026 年的營業利潤預測已大幅上調至 1,334 兆韓元，展現了強勁的盈利復甦信心[22]。

美光：資本支出上調與美國本土產能布局

美光作為美國唯一的記憶體大廠，其 2026 年的戰略緊密貼合美國半導體自主化與 AI 數據中心的爆發。美光執行長 Sanjay Mehrotra 表示，其2026年全年的 HBM 產能已完全售罄，並計畫將 2026 財年的資本支出從原先的 180 億美元提升至 200 億美元[23]。

美光的 HBM4 開發進度也相當迅速，計畫於 2026 年第二季開始大規模量產，其速度預計超過 11 Gbps，旨在與 Nvidia 的新產品推出同步[24]。此外，美光在愛達荷州博伊西的工廠第一階段已經完成，預計 2026 年投入量產，這將進一步鞏固其在美國本土供應 AI 記憶體的地位[25]。

表3. 三大巨頭 HBM 擴產與戰略對比 (2026-2028); 整理製表：北美智權報／李淑蓮

台灣記憶體產業的市場契機與戰略定位

在全球三大巨頭瘋狂轉向 HBM 與伺服器高階記憶體之際，台灣記憶體產業在 2026 年展現了其作為「全球記憶體穩定器」與「利基市場領導者」的獨特戰略價值。由於韓系與美系廠商大規模撤出 DDR4 與低密度 NAND生產，台灣廠商正迎來前所未有的產能紅利與漲價契機[33]。

南亞科技10 奈米自主製程與 DDR4/DDR5 的產能切換

南亞科技正處於技術自主研發的收割期。為了擺脫長期依賴專利授權的局面，南亞科自主研發了10 奈米級製程技術。其位於泰山南林科技園區的新晶圓廠，投資金額約 3,000億台幣，配備了雙層無塵室並預留了EUV光刻設備空間[34][35]。

該廠房計畫於 2025 年至 2026年進入產能爬坡期，最終目標為達成每月4.5 萬片晶圓的產出，並使南亞科的總產值增加 120%[36]。在產品組合上，南亞科成功將 1B 奈米製程的 16Gb DDR5-5600 晶片提升至 10% 以上的出貨比例，同時在 DDR4 供應緊張的情況下，確保了穩定的出貨，成為全球主流市場的重要緩衝[37]。

華邦電子：特殊記憶體 (Specialty DRAM) 與綠色產能擴張

華邦電子在 2026 年的戰略重心在於高雄廠的產能釋放與技術升級。高雄廠已從 25 奈米技術升級至 20 奈米，每月初始產能為 1.5 萬片晶圓[38]。華邦電於 2025 年底推出了基於16 奈米製程的 8Gb DDR4，旨在搶佔工業、汽車與物聯網應用的長週期市場[39]。

面對 DDR5 的普及，華邦依然承諾將維持 DDR3 供應超過10年，這使其在車用電子（如 ADAS 與資訊娛樂系統）領域占據了極高的市占[40]。此外，華邦也擁有 HyperRAM 與 SpiStack 技術，以應對 AI 邊緣運算節點對低功耗、小封裝記憶體的需求。

旺宏：3D NOR Flash 的技術革新與市場獨占

旺宏電子在 2026 年迎來了其技術史上的重大突破 — 3D NOR Flash 的全球首產。由於 2D NOR 的物理縮放已達到極限（約 512Mb 瓶頸），旺宏利用其成熟的 3D NAND 架構經驗，開發出可單片提供 4Gb 甚至 8Gb 容量的 3D NOR Flash[41]。

這種 3D NOR Flash 整合了 DDR4 介面，可將系統對 DRAM 的需求減少 30%，對於需要快速啟動（Fast Boot）與高可靠性代碼存儲的 AI 加速器及高級車用系統極具吸引力[42]。旺宏的 321層 2Tb QLC NAND 也計畫於 2026 年量產，主要瞄準 AI 數據中心的超大容量 eSSD 市場[43]。

群聯：從控制器向企業級 AI 存儲系統的轉型

群聯 (Phison) 在 2026 年的定位已經完全脫離了傳統的「模組商」。執行長潘健成確認，2026 年的 NAND 產能幾乎已被預訂一空，這促使群聯將有限的資源集中在毛利更高的企業級與工業級客戶上[44]。

群聯在 2026 年的獲利成長動能主要來自於 AI 推理伺服器專用的 SSD 解決方案。透過其 E28 控制器及自主開發的 aiDAPTIV+ 平台，群聯成功進入了中小型企業的 AI 推理市場。儘管 NAND 原料價格上漲，但群聯透過削減利潤微薄的零售出貨，轉而強化與 Tier 1 雲端供應商的合作，維持了穩定的毛利率與研發投入[45]。

表4. 台灣主要記憶體大廠產能與技術布局列表(2026); 整理製表：北美智權報／李淑蓮

2026 年記憶體價格飆升的經濟模型與市場動態

2026 年記憶體價格的瘋狂上漲，被市場分析師形容為一場「完美風暴」。這場漲價不僅僅是週期性的，乃是由供給面的結構性調整與需求面的恐慌性囤貨共同造成的。

供給面的「位元懲罰」與產能排擠

HBM4 的生產複雜性是導致常規 DRAM 短缺的元兇。由於 HBM4 需要更精細的垂直堆疊與更多的矽通孔 (TSV) 製程，其晶圓消耗量是傳統 DRAM 的三倍之多。當三星、SK 海力士與美光將其 60% 以上的高端產能分配給 HBM 時，一般個人電腦與伺服器所需的 DDR5 供應量將出現斷崖式下跌[47]。

根據 TrendForce 的調查，2026 年第一季，伺服器 DRAM 價格預計將飆升超過 60% (QoQ)，而常規 DRAM 合約價的漲幅也將達到 55-60%[48]。這種漲幅在記憶體歷史上極為罕見，反映了供應鏈對「AI 基礎設施建設」的極度優先排序。

需求面的戰略囤貨與價格接受度

以北美四大雲端服務供應商 (CSPs) 為首的採購者，為了確保 Nvidia Vera Rubin 系統能如期部署，已經開始提前 12 個月進行庫存備貨[49]。這種強大的買方力量擠壓了其他二線 OEM 廠的生存空間，導致後者必須接受更高的溢價才能獲得產能分配。

IDC的報告指出，除了蘋果 (Apple) 因為具備雄厚的現金儲備與長期採購合約（提前 12-24 個月鎖定價格）而能維持產品售價不變外，其餘硬體製造商如 Dell、HP、Lenovo 以及 Android 手機陣營，均計畫在 2026 年上半年進行 15-20% 的終端調價，以轉嫁記憶體成本[50]。

下游市場衝擊：AI PC、AI 手機與消費電子的兩極化

記憶體價格的飆升正在深刻地重塑終端消費市場的競爭格局。2026 年將出現一種「科技貴族化」的現象：高性能的 AI 裝置變得愈發昂貴，而預算有限的消費者則面臨硬體規格降級的窘境。

AI PC：被記憶體成本綁架的轉型

IDC 定義的 AI PC 要求具備 NPU 且記憶體最低門檻為 16GB[51]。然而，隨着16GB DDR5 模組價格預計在 2026 年中達到30 美元（相較於 2025 年的 10 美元上漲三倍），PC 廠商的利潤空間被極度壓縮[52]。

為了應對成本壓力，一些筆記型電腦品牌被迫採取以下策略：

• ASP 提升：2026 年 PC 的平均銷售價格預計將上漲 6-8%[53]。
• 規格降級：在入門級機種中，可能出現減少其他組件（如顯示螢幕、外殼材料）成本的「平衡性配置」，或延後換機週期[54]。
• 市場萎縮：IDC 警告，在悲觀情況下，2026 年全球 PC 出貨量可能萎縮高達9%[55]。

智慧型手機：RAM 配置的「天花板效應」

對於智慧型手機而言，記憶體占其總物料清單 (BOM) 的成本比例正在從10% 提升至20%以上 11。這導致 Android 旗艦機原本計畫升級至24GB或32GB RAM的計畫在2026年全數取消，主流旗艦預計將停留在 12GB或16GB[56]。

更糟糕的是，在對價格極度敏感的開發中國家市場，入門級手機可能在 2026 年從 8GB 倒退回 4GB 甚至更低，這將嚴重影響這些地區用戶體驗裝置端 AI 功能的能力[57]。Counterpoint 調查顯示，2026 年全球智慧型手機出貨量預計將萎縮 2.1%，其中中國 OEM 廠（如 vivo, OPPO, Honor）受到的影響最為顯著[58]。

中國記憶體產業的突圍與地緣博弈

在 2026 年的記憶體超級週期中，中國廠商長鑫存儲 (CXMT) 與長江存儲 (YMTC) 展現了其在制裁壓力下的強韌生命力，雖然在技術層面仍落後韓美巨頭，但其擴產計畫正對市場格局產生不可忽視的影響。

長鑫存儲 (CXMT)：HBM3 的國產化衝刺

長鑫存儲已確立其作為中國 DRAM 龍頭的地位，並計畫在 2026 年第一季於上海證交所進行高達 420億美元的IPO[59]。CXMT 的 HBM 發展路線圖極具野心：計畫在 2026 年實現 HBM3 量產，並於 2027年挑戰 HBM3E[60]。

目前，CXMT 已開始向華為等中國大廠提供 HBM3 樣品進行驗證[61]。雖然其 HBM3 的位元密度與良率仍與三星 2-3 年前的水平相當，但在中國追求半導體自給自足的背景下，CXMT 將獲得幾乎無限的內部市場需求。預計到 2027 年，CXMT 在全球 DRAM 市場的占有率將從目前的 6% 提升至10% 以上[62]。

長江存儲 (YMTC)：跨界儲存與封裝技術優勢

長江存儲雖然在 NAND 擴產上受到美國出口管制的嚴重限制，但其獨有的 Xtacking 3.0/4.0 技術正在成為其開發國產 HBM 的關鍵優勢[63]。Xtacking 技術提供的先進鍵合能力，非常適合處理 HBM4 所需的 16 層以上極高密度堆疊[64]。

YMTC 據報正在與 CXMT 展開合作，結合 YMTC 的封裝專長與 CXMT 的 DRAM 製造能力，共同對抗 HBM 禁令帶來的負面影響[65]。此外，YMTC 依然是中國 eSSD 市場的核心供應商，其研發的 300 層以上 NAND 技術雖然量產緩慢，但仍維持了技術儲備[66]。

2027-2029 年市場展望：週期回歸與後 Rubin 時代

儘管2026年將是非常繁榮的一年，但記憶體產業的週期性本質並未消失。2027年至2029年，市場將進入一個複雜的「消化期」。

產能釋放與價格修正的風險

隨着三星 P5 廠、SK 海力士龍仁半導體叢集以及美光美國廠房在 2027-2028 年陸續釋放產能，市場可能在2028年底迎來供過於求的風險[67]。TechInsights 預測，2027 年半導體產業可能出現一次明顯的修正，屆時記憶體價格可能會從 2026 年的高峰快速滑落[68]。

廠商的勝負將取決於對 HBM 產能的精確調度。如果 AI 泡沫在此期間破裂，或雲端供應商的資本支出轉向，那些過度擴張 HBM 產線而忽視通用市場靈活性的廠商將面臨巨大的財務風險[69]。

技術下一個疆界：HBM5 與 CXL 2.0/3.0

在 2026 年之後，記憶體競爭將轉向系統級的優化。

1. HBM5 與 HBM5E：SK 海力士已在藍圖中規劃了 HBM5，預計 2028-2029 年問世，頻寬將向 30-40 TB/s 挑戰[70]。
2. CXL (Compute Express Link)：隨着伺服器記憶體容量的需求超過插槽極限，CXL 技術將成為主流。三星、海力士與台灣的晶片業者都在布局 CXL 記憶體擴展模組（CMM），這將創造一個新的利潤增長點[71]。

結論與投資戰略建議

總結 2026 年及往後三年的全球記憶體產業，這是一場由 Nvidia Vera Rubin 晶片引發的「算力軍備競賽」所帶動的結構性繁榮。

全球巨頭戰略總結

• SK 海力士：憑藉 HBM4 的先行者優勢，在 2026 年將維持極高的毛利率，並透過與 TSMC 的深度合作築起競爭壁壘。
• 三星電子：以規模與產能為武器，透過 P5 廠的長期投資與 HBM4 的良率反轉，在2027年後有望重新奪回出貨量冠軍。
• 美光：利用其在美國本土的戰略地位與高效能 HBM4 設計，鎖定了高品質 AI 伺服器客戶，利潤成長率預計位居三大廠之首。

台灣產業戰略建議

• 利基市場防守：南亞科與華邦電應在2026年價格高點時加速折舊舊設備，並鎖定車用與工業用等長週期合約。
• 技術領先突圍：旺宏的 3D NOR 與群聯的企業級控制晶片是台灣在 AI 時代提升附加價值的關鍵，應加速向AI超級電腦供應鏈滲透。

2026年是記憶體產業的黃金年，但也是成本劇變引發產業大洗牌的一年。對於投資者與產業參與者而言，不僅要關注眼前的價格漲幅，更要深刻理解背後的技術路徑切換。隨著記憶體從傳統的「儲存容器」進化為「AI 運算的動脈」，那些能夠精準掌握產能切換節點並與 AI 晶片龍頭深度綁定的公司，將在未來的三年內立於不敗之地。

備註：

[1] The AI Memory Supercycle: Why 2026 is the Year the ‘Sold-Out’ Sign Became Permanent for Micron, MarketMinute, FinancialContent, January 02, 2026

[2] 2026 Market Outlook – “Focus on the HBM-Led Memory Supercycle”, SK HYNIX Newsroom, January 5, 2026

[3] 同註2

[4] 同註1

[5] 「By the fourth quarter of 2025, it became clear that the “die penalty”—the fact that HBM requires three times the wafer area of standard DRAM—would lead to a global shortage of all memory types.」The AI Memory Supercycle: Why 2026 is the Year the ‘Sold-Out’ Sign Became Permanent for Micron, MarketMinute, FinancialContent, January 02, 2026

[6] 同註1

[7] Every conference is an AI conference as Nvidia unpacks its Vera Rubin CPUs and GPUs at CES, Tobias Mann, The Register, Jan 2026

[8] 同註7

[9] 同註7

[10] Nvidia Disaggregates Long-Context Inference To Drive Bang For The Buck, Timothy Prickett Morgan, The Next Platform, September 11, 2025

[11] 同註7

[12] 同註7

[13] TrendForce forecasts that prices for all types of memory products will continue to rise comprehensively in the first quarter of 2026, Zhitong Finance, FUTUBULL, Jan 5., 2026

[14] 同註2

[15] Samsung, SK hynix dramatically scaling up HBM production to meet rising demand, recent Nvidia deals, LEE JAE-LIM, Korea JoongAng Daily, January 4, 2026

[16] 同註15

[17] 同註2

[18] SK hynix Debuts 16-Layer 48GB HBM4 at CES 2026, Alongside SOCAMM2 and LPDDR6, TrendForce News, 2026-01-06

[19] 同註15

[20] 同註15

[21] 同註15

[22] Nomura: AI Demand Surpasses Expectations, Memory Super Cycle Projected to Last Until at Least 2027, Deep News, 2025/12/29

[23] Micron Hikes CapEx to $20B with 2026 HBM Supply Fully Booked; HBM4 Ramps 2Q26, TrendForce News, 2025-12-18

[24] 同註23

[25] Micron, Biden-Harris Administration, U.S. Senate Majority Leader Schumer Announce $6.1B in CHIPS and Science Act Funding for Historic Planned Investment in Domestic Leading-Edge Memory Manufacturing in Idaho and New York, Micron Technology, April 25, 2024

[26] 同註15

[27] 同註2

[28] Following Samsung and SK Hynix, Micron Rides the AI Memory Wave, Sunlight Xiang, Financial Market Data, Jan 6, 2026

[29] 同註23

[30] 同註22

[31] 同註22

[32] 同註1

[33] Memory Giants’ HBM Focus Could Limit DRAM Growth Through 2026; Taiwan Firms Boost DDR4, TrendForce News, 2025-10-17

[34] Nanya breaks ground on double-decker wafer fab, Peter Clarke, European Business Press, June 27, 2022

[35]南亞科技公司先進晶圓新廠動土典禮 深耕台灣DRAM技術自主 永續發展, 南亞科技, 2022/6/23

[36] 同註34

[37] 同註33

[38] 同註33

[39] Winbond Launches 8Gb DDR4 DRAM Built on Advanced 16nm Process Technology for Industrial and Embedded Applications, Winbond, 2025-12-03

[40] Meet the Line Card: Winbond Speciality Memory Semiconductors, Ineltek, dated: Nov 4, 2025

[41] Breaking Through Capacity Bottlenecks! Macronix Leads the World with Innovative 3D NOR Flash Technology, Macronix, EE│Times, 01.01.2025

[42] Macronix’s debuts World’s first 3D NOR flash, Jake Morris, ipXchange, Last view: 2026.01.15

[43] 同註18

[44] Phison CEO paints grim picture for the SSD storage market, Mark Campbell, Digitimes, November 10, 2025

[45] 同註44

[46] Nanya Technology breaks ground on semiconductor fab in New Taipei, 僑務電子報, 2022-06-24

[47] 同註22

[48] 同註13

[49] 同註13

[50] Global Memory Shortage Crisis: Market Analysis and the Potential Impact on the Smartphone and PC Markets in 2026, IDC Global, December 18, 2025

[51] IDC warns PC market could shrink up to 9% in 2026 due to skyrocketing RAM pricing — even moderate forecast hits 5% drop as AI-driven shortages slam into PC market, Zak Killian, tom’s HARDWARE, December 29, 2025

[52] When Will RAM Prices Drop? Global Memory Market Outlook 2024–2026, becloud, November 12, 2025

[53] 同註50

[54] Rising Memory Prices Weigh on Consumer Markets; 2026 Smartphone and Notebook Outlook Revised Downward, Says TrendForce, TrendForce, 17 November 2025

[55] 同註51

[56] 同註50

[57] Memory Price Surge to Persist in 1Q26; Smartphone and Notebook Brands Begin Raising Prices and Downgrading Specs, Says TrendForce, TrendForce , 11 December 2025

[58] 2026 Smartphone Shipment Forecasts Revised Down as Memory Shortage Drives BoM Costs Up, Counterpoint, December 16, 2025

[59] China’s CXMT reportedly eyes $42b IPO in 2026, Tech in Asia, 21 Oct 2025,

[60] From DDR4 to AI Memory Powerhouse: CXMT Challenges Samsung, SK Hynix, Micron, Simon LEE, autodaily.co.kr, August 20, 2025,

[61] 同註60

[62] The Rise of CXMT Inside the Hydra-like Chinese Memory Sector, Research Institute for Democracy, Society and Emerging Technology (DSET), 2025 October

[63] YMTC and CXMT to Jointly Accelerate China’s HBM Production, Tech Power Up, Sep 3rd, 2025

[64] 同註63

[65] 同註63

[66] China’s NAND Giant YMTC Reportedly Moves into HBM Using TSV, Following CXMT and Huawei, TrendForce, 2025-09-26

[67] 同註2

[68] 同註52

[69] RAM Shortage 2025: How AI Demand is Raising DRAM Prices, IntuitionLabs, Updated on 2026/1/14

[70] SK hynix showcases next-gen 48GB HBM4 at 11.7Gbps, SOCAMM2, LPDDR6 for AI platforms, Anthony Garreffa, Jan 6, 2026, TweakTown

[71] 同註18

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