記憶體市況兩樣情
文.洪寶山
傳統旺季已連續第五年不旺 AI功能升級換機潮遲早會來
兩年的去庫存讓廠商不敢對今年的傳統旺季太過樂觀,加上美中兩強都陷入消費降級的陰霾,整體消費力道復甦緩慢,廠商回補庫存的力道也相對謹慎,以至於今年9月的DDR4 8Gb的價格也不過是1.72美元。從這點來看,便可知道今年第三季的傳統旺季是連續第五年的不旺。
但消費端的需求有待提振,這點倒也還能理解,因為AI PC與AI手機是第一年推出,大多數的消費者並不急於換機,等待更多的AI商用應用成熟後再換機,這在過往的新機世代更迭的過程中可以看到類似的軌跡,所以不管是廠商或是股市對於AI PC與AI手機的換機潮的預期並沒有出現很大的落差,因為大家都知道,總有那麼一天,大多數的個人電子裝置都將具備AI功能,換機潮遲早會來。
商用會比消費性換機潮先來 輝達營收連續五季翻倍成長
從過往的經驗得知,商用的換機潮會比消費性換機潮先發生,這次生成式AI所帶動的北美CSP的AI基礎建設也是如此,單單是今年2月所公布的數據來看,亞馬遜、微軟、谷歌與Meta等四大CSP的今年資本支出總和就達到2271.8億美元,推動輝達的營收連續五季度的翻倍成長。
而AI伺服器並不只受惠輝達的GPU,還需要SK海力士的HBM高頻寬記憶體的搭配,HBM之所以被發明,來自於晶片商希望能將記憶體和處理器,包含CPU和GPU,全都包在一顆IC中。如此一來,記憶體與處理器的距離變得比之前近很多,效能得以大幅提升,雖然AI伺服器所需要的記憶體量,是傳統伺服器的五到六倍。
但是HBM與一般DRAM之間並不存在取代關係,而是因為應用需求的不同,衍生出的技術,所以之前有聲音認為HBM產能吃緊,對DDR系列的價格有幫助,經過第三季傳統旺季之後,這樣的聲音已經不存在了。
HBM之所以產能吃緊,不單是需求旺盛,更重要的是良率不高,關鍵在於採用矽穿孔(TSV)取代傳統封裝的導線架,由於矽穿孔僅略大於細菌尺寸,要將每一片DRAM晶圓疊齊後再做切割,不僅切的時候也不能移位,還要精準對齊矽穿孔,才能導電,因此要求非常精細的技術,所以良率提升不明顯,據傳台積電正在研究解決方案,或用雷射取代。
客製化低功耗HBM良率不高 目前HBM3海力士市占逾九成
9月13日南韓公布八月份ICT進出口統計數據顯示,受惠於HBM等高附加價值的產品需求增加,八月份半導體出口量較去年同期成長37.6%,2024年能夠生產HBM的廠商僅三家,分別為SK海力士約有52%的市占率,三星占42.4%,美光約5%。若以現階段主流產品HBM3產品來看,目前SK海力士於HBM3市場比重超過九成。
隨著HBM堆疊層數的增加,技術要求也相對提高,這對於SK海力士、三星與美光來說是件好事。不過,在生成式AI趨勢一片看好的環境下,9月15日大摩跳出來看空記憶體產業,主要的觀點在於IT產業的疲軟,除了AI伺服器之外,PC與智慧型手機的需求長期停滯,拖累了半導體產業。
大摩預期2025年初開始,DRAM價格將下跌並導致記憶體產業的不景氣,預估SK海力士DRAM平均售價將在2025年下跌7.7%,到2026年下降25%。此外,大摩還預測HBM將出現供過於求的情況。
若HBM產能吃緊DRAM需求恢復 DRAM獲利能力可能超越HBM
對此,SK海力士持不同的觀點:「過去投資增加可能會引發供給過剩的擔憂,但考慮到HBM的晶圓尺寸跟較低的生產效率,市場的結構性和量產特性與DRAM不同,不能夠簡單的用投資增加等於供給過剩的邏輯來看待。根據客戶的要求,HBM3e每年需要改善性能,如果將晶片堆疊層數從八層提升到十二層,生產的效率將進一步受限制。而在HBM4之前的晶片堆疊只是為了連接GPU與DRAM產生作用,但從2026年進入HBM4世代開始,它可以客製化客戶所需的低功耗等功能,對工藝的要求難度更高,這造成了產量提升的限制。」
SK海力士表示,如果HBM產能吃緊持續,且DRAM的需求加速恢復,那麼DRAM的獲利能力可能會超越HBM。
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