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美參院掃除520億美元晶片法案程序障礙 拚最快下周過關

美國參議院19日針對精簡版晶片法案的程序性表決過關,將展開立法辯論。路透
美國參議院19日針對精簡版晶片法案的程序性表決過關,將展開立法辯論。路透

美國參議院19日針對精簡版晶片法案的程序性表決過關,將為美國半導體產業提供逾520億美元的補貼和稅務優惠事宜展開立法辯論,讓這項延宕已久的法案往下一步推進,最快在下周獲得參院批准。

參院在19日晚間以64票對34票的程序性表決結果,達到參院多數黨領袖舒默設定可將共和黨參議員Todd Young、民主黨參議員Kyrsten Sinema所推動、將研發獎勵納入晶片法案的門檻。

舒默在投票前形容這項立法是美國「極度、極度需要的」。

關於法案的細節仍在研議磋商中。

除了提供資金協助在美國設立晶圓廠的半導體公司,這套由參院領袖推動的立法草案,將納入為半導體和半導體設備製造提供的25%投資租稅優惠、為國際安全計畫分配5億美元、2億美元分配於勞工訓練,以及15億美元用於公共無線供應鏈創新。

Todd Young和Kyrsten Sinema提議納入的條款,則是要在美國國家科學基金會下建立科技和創新局,以支撐基礎與應用研究,並且強化科學、科技、工程和數學的教育。舒默曾表示,參院需要至少60票來顯示對這些條款的支持。

這項立法也必須經眾議院表決通過,眾院多數黨領袖霍耶爾(Steny Hoyer)表示,民主黨團將支持參院版本,即便一些人想要更範圍更廣的法案。他說:「我們必須達到晶片的這個環節,如果我們沒做到,我們將痛失晶片製造,讓給其他地方。」

另外,包括英特爾在內的一些公司和遊說組織半導體產業協會持續尋求調整立法內容,希望允許在中國大陸生產更先進的晶片。當前的法案措辭禁止投資在中國大陸生產28奈米以下晶片的工廠,儘管在大陸的一些晶圓廠已經生產16奈米晶片。

半導體 美國

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