長鑫研發 DRAM 新技術 拚突破美國封鎖

韓媒近期披露大陸記憶體廠長鑫存儲加快布局下一代技術，正在合肥祕密啟動的「鍵合 DRAM（Hybrid Bonding DRAM）」試驗生產線，目標在不使用極紫外光微影設備（EUV）下推進超高密度DRAM製程，成為對抗美國技術封鎖的「換道超車」祕密武器。

根據南韓經濟日報報導，在美國對先進半導體設備出口限制下，多個大陸廠商透過製程升級路徑推進技術發展。其中，長鑫存儲近期在安徽合肥設立鍵合DRAM研發線，目標是比南韓企業更早實現下一代存儲技術商用化。

相關技術被視為「記憶體遊戲改變者」，該技術透過深紫外光設備（DUV）結合多重曝光製程，並將記憶體儲存單元陣列與控制電路分別製作於不同晶圓後再進行鍵合，以提升傳輸效率並降低功耗，同時不增加晶片面積。旨在通過‌DUV結合多重曝光實現高性能DRAM製造，從而降低對EUV的依賴 ，完美繞過美國出口管制。

報導稱，韓國與中國大陸在記憶體領域的技術差距已從五年以上縮小至三年左右，部分下一代技術領域中國大陸甚至已經反超。

報導並指，長鑫存儲目前約有20%產線轉為HBM專用產線，推進HBM3與HBM3E研發，並布局CXL 3.0 DRAM市場。今年第1季其DRAM全球市占率已升至8%。同時，長鑫還被視為蘋果新DRAM供應商候選之一。

在技術發展部分，大陸記憶體廠亦持續投入HBM與NAND領域。快科技引述首爾大學教授崔宇永表示，一旦華為等大陸AI晶片廠商導入HBM並累積實戰經驗，良率與穩定性可能加速提升。