不是崩盤是「洗盤」！上周重挫13% 看懂為何美光盤前強彈8%

輝達（NVIDIA）與SK海力士7日宣布擴大合作，後者的競爭對手美光科技，股價周一（8日）盤前卻飆漲逾7%，收復上周慘跌後的過半失土。

美光股價上周五（5日）受到半導體類股賣壓拖累，重挫13%，8日盤前強彈，勁揚8%至936美元。

SK海力士與輝達7日宣布達成「多年期技術合作夥伴關係」，共同開發下一代AI基礎設施所需記憶體產品。巴隆周刊指出，儘管如此，雙方公告並未提及SK海力士將成為輝達獨家供應商，應可使美光投資人安心，因輝達未來仍會持續依賴美光供貨。

輝達執行長黃仁勳5日證實，輝達已批准三星電子、SK海力士以及美光科技供應第四代高頻寬記憶體（HBM4）。只要輝達持續採用這三家供應商，且記憶體需求仍高於整體供給，美光漲勢就有望恢復。

美股三大指數5日全面走低，半導體類股普遍下挫，而美光過去12個月股價已大漲逾735%，因此只要市場出現獲利了結賣壓，就容易劇烈震盪。

另據Semianalysis研究公司報告，輝達已下調下一代Vera Rubin伺服器機櫃預計採用的模組化記憶體容量，也可能是相關類股走弱的部分原因。

不過，SemiAnalysis隨後出面澄清，相關調整並不代表高頻寬記憶體（HBM）需求轉弱，而是反映系統架構優化與資源配置考量。事實上，市場真正關注的HBM需求仍維持強勁成長態勢。

巴隆周刊表示，模組化記憶體不同於高頻寬記憶體（HBM），HBM的生產耗費許多資源，每單位產品所需半導體晶圓產能，約為標準記憶體的三倍。因此，當供應商擴大HBM產量時，往往排擠其他類型記憶體的生產，進而推高整體產業價格。輝達下調模組化記憶體容量規劃，可能反映這種排擠效應正在發生。

Trendforce的分析師寫道，「整體來說，隨著HBM世代在2027年不斷發展，晶粒愈來愈大，需求也隨之增長，對傳統DRAM產能的排擠效應預計將進一步加劇。這為HBM漲價提供強而有力的理由，並增強他們在明年協商HBM價格的定價權」。