華為發表晶片「韜定律」 2031年拚1.4奈米 路透：有點難

美中科技戰持續，中國科技巨頭華為25日正式發表半導體領域新原則「韜（τ）定律」，並提出在2031年，也就是五年後設計出電晶體密度相當於1.4奈米製程的高端晶片。

華為公司董事、半導體業務部總裁何庭波在上海舉行的國際電路系統研討會上正式公布「韜定律」。綜合中媒和華為官網消息，何庭波說，韜定律提出以「時間縮微」替代「幾何縮微」，以系統性降低時間常數（τ）為目標，通過「邏輯折疊」等創新技術，持續壓縮信號傳播時延，不斷提升電晶體密度。

基於該定律，華為過去六年已成功設計並量產381款晶片，而今年秋季，華為將發布新的麒麟手機晶片，完整採用邏輯折疊技術，大幅提升相關性能。

「韜定律」改變了以往對半導體晶片生產圭臬「摩爾定律」的認知，也是中國在全球半導體領域首次提出或能指導產業發展的新原則。

在電路理論中，τ代表時間常數，即信號從一種狀態切換到另一種狀態所需時間。τ愈小，電路切換愈快。過去摩爾定律降低τ的辦法是電晶體變小，讓電路變短，τ自然變小。韜定律則反從半導體元件、電路、晶片到系統等多層面協同設計，對τ進行「系統性降低」。

實現「韜定律」目標的技術被稱為「邏輯折疊」，華為尚未公開更具體的技術原理。而預計到2031年，基於該定律的高端晶片電晶體密度將可達到1.4奈米製程的同等水準（與此相較，台積電近日宣布1.3奈米製程技術將於2029年量產）。

何庭波表示，在「韜定律」路徑下，華為期待與全球科學家、工程師和產業夥伴緊密合作，共同推動半導體與電子產業持續發展。

不過，路透指出，外界普遍認為中國不太可能單靠傳統製造方式達此目標，因美國限制中國取得先進光刻（曝光）工具及其他關鍵技術。美國CNBC引述分析質疑「韜定律」是否真正實現1.4奈米製造製程的突破，尤其在散熱、良率、功耗等問題上。但報導認為該技術對輝達、蘋果手機銷售都有重大影響。