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高頻寬記憶體進化有新方向 考慮和GPU以「光學互連、獨立封裝」解決瓶頸

韓國媒體報導,可能因系統效能受限資料儲存或頻寬的「記憶體牆」問題,未來有望獲得解決。(路透)
韓國媒體報導,可能因系統效能受限資料儲存或頻寬的「記憶體牆」問題,未來有望獲得解決。(路透)

韓媒報導,為解決未來可能遭遇系統效能受限資料儲存或頻寬的「記憶體牆」問題,業界正評估一種將GPU與高頻寬記憶體(HBM)區隔並分別封裝的新方法,將原本緊鄰GPU的HBM移到一定距離之外,並透過光學互連的方式進行兩者間的傳輸。

韓媒ZDNet Korea報導,此前業界把重心放在如何堆疊HBM,試圖在有限面積內增加記憶體容量與頻寬。目前主流的HBM3E主要使用8層與12層堆疊,但隨著堆疊層數繼續增加,製程難度呈指數級攀升。負責制定業界標準記憶體規格的組織JEDEC,也被迫放寬HBM高度的限制,從720微米鬆綁至775微米,允許可以做厚一點。

如果要橫向發展,在GPU周圍、同一高度的地方配置更多的HBM,也行不通。在目前2.5D封裝結構中,GPU與HBM在同一塊載板上,能夠配備的HBM數量嚴格受制於GPU有限周長。因此,即便想裝更多HBM,物理上也沒空間。

目前半導體業界提出的替代方案,是將GPU與HBM區隔並獨立封裝,不再讓兩者緊鄰彼此,而是拉開距離,並利用極其快速的光訊號來連結,藉此克服變更遠的傳輸距離。

在電路板上將HBM放在距GPU稍遠的位置,能讓設計擺脫GPU周長的限制,進而把HBM數量可達目前的數倍,且毋須將堆疊高度推向極限,意味著AI加速器的總記憶體容量與資料頻寬將會急速擴增,達到目前無法比擬的規模。

一名記憶體研究人員表示,目前討論的方案涵蓋廣泛利用GPU周圍的空間,乃至於把HBM獨立配置在GPU電路板下方的方案,「若是後者,電路板就必須拉長,因此我們甚至正與製造商討論全面更改尺寸規格」。

委外封測(OSAT)產業也正密切關注這一趨勢。一家OSAT公司的高層表示:「光學互連一定會發生,唯一的問題是何時發生。」他預測:「機櫃對機櫃(Rack-to-rack)與伺服器對伺服器(Server-to-server)的連結,將會率先採用光學技術,接著才是電路板內的晶片對晶片(Chip-to-chip)連接。」

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