三星2奈米良率提高

南韓媒體報導，三星自家LSI部門與中國大陸挖礦業者等企業，都向三星電子的2奈米環繞式閘極（GAA）技術下單，已幫助三星提高先進微影技術良率至60%，高於1月據傳的50%，更比去年下半年的20%，提高兩倍多。

科技網站Wccf tech引述韓國經濟日報的報導指出，三星2奈米GAA製程的良率在去年下半年只有20%，三星首款2奈米GAA晶片Exynos 2600的平均良率也仍低於50%。但隨著三星成功從中國大陸的嘉楠科技和比特微電子（MicroBT）等比特幣礦機製造商取得晶片訂單，強化提升良率動能。

不過，三星從未公布上一代或這一代微影技術的良率，因此最新良率數據也是透過各種估算來做判斷。

三星的新一代製程仍大幅落後台積電（2330），但可望仰賴晶片訂單激增，縮小差距。三星最大的勝利之一是和特斯拉達成了165億美元的交易，為其量產AI6自駕晶片。三星據傳已設定了一個野心勃勃的目標，今年的2奈米GAA訂單要提升130%。