三星新HBM上膛 股價攻頂

南韓媒體報導，三星電子明年2月將開始量產下一代高頻寬記憶體（HBM4），加上投資銀行野村調高目標價，激勵三星電子股價收盤創新高。

三星電子26日收盤報每股117,000韓元，比前市大漲5.3%。競爭對手SK海力士股價漲1.9%，以599,000韓元作收，盤中一度躍上60萬韓元。半導體股普遍勁揚，呼應25日美股三大指數同創新高的「耶誕老人行情」。

市場普遍預期，記憶體大廠2026年將迎來一波「超級周期」，讓投資人對半導體產業展望信心大振，觸動南韓這波半導體股漲勢。

投資銀行野村於是調高三星電子獲利預測，明年營業利益估計可達133.4兆韓元，反映記憶體晶片價格看漲。野村同時上調三星電子目標股價，從150,000韓元調高至160,000韓元，並維持「買進」評等。

南韓券商預期，晶片股還會進一步上漲。KB證券研究報告寫道：「三星電子2026年營業利益年增幅將接近129%，奔向100兆韓元，由DRAM價格上漲和高頻寬記憶體出貨量擴增驅動。」KB證券預期，三星電子2026年HBM市占率可望比今年增加一倍多，從16%提高到35%。

首爾經濟日報引述匿名業內消息來源指出，三星電子明年2月將在南韓平澤（Pyeongtaek）園區開始量產HBM4，競爭對手SK海力士的M16廠也將在同月啟動量產。報導指出，HBM4將用於輝達（Nvidia）次世代AI晶片「Rubin」。SK海力士已在今年3月交給輝達HBM4樣本，並於9月建立起一套量產系統。