優化AI運算 NEO半導體獲記憶體大會最具創新技術

全球記憶體技術大會FMS在矽谷舉行，聚焦AI創新；美光、SK海力士、鎧俠等大廠爭艷。近年以獨創3D技術受關注的台裔新創Neo半導體，今年以專為AI晶片設計的高頻寬記憶體架構X-HBM獲最具創新技術肯定。

全球首屈一指的記憶體和儲存技術大會（FMS: TheFuture of Memory and Storage）5日至7日在加州聖克拉拉（Santa Clara）會議中心登場，是專為下一代記憶體和儲存技術打造的產業盛會，今年聚焦人工智慧（AI）革命，強調AI與儲存技術之結合。

台裔創業家許富菖創辦的Neo半導體（NEOSemiconductor）今年以全球首創、專為AI晶片設計的高頻寬記憶體架構X-HBM，獲大會評選為最具創新技術（Most Innovative Technology ）。台裔梁見後創辦的美超微（Supermicro）亦獲得此殊榮。

美超微以採用輝達（NVIDIA）Grace CPU超級晶片的全快閃儲存伺服器獲獎。

評選委員會主席克拉瑪（Jay Kramer）針對Neo半導體的技術指出，HBM對AI和高效能運算極為關鍵，下一代技術須具備更高頻寬、更大資料密度、及更低功耗，Neo半導體的X-HBM提供16倍頻寬、10倍資料密度、大幅降低功耗，是記憶體技術的躍進。

克拉瑪表示，這項技術創新有潛力重塑AI基礎設施，加速AI應用的採用。

許富菖6日登台發表主題演講，一開場先展示Neo半導體的獨創核心技術3D X-DRAM的測試晶圓，並向全場業界人士和觀眾表示「它來自台灣」，獲得全場熱烈掌聲。

Neo半導體於2023年發表3D X-DRAM作為其核心技術，將傳統動態隨機存取記憶體（DRAM）的儲存單元改造成垂直堆疊架構，以期大幅提升記憶體容量、頻寬與能源效率。今年發表的X-HBM即為奠基在這項核心技術上所延伸出的高頻寬記憶體架構。

展會上，記憶體大廠美光（Micron）、三星（Samsung）、SK海力士、鎧俠（Kioxia）都針對AI發表了最新技術和主題演講，涵蓋多個關鍵應用領域，包括資料中心、高效能運算、邊緣行動裝置、及嵌入式系統，反映AI正全速推動記憶體產業的變革。