日本Rapidus拚量產2奈米需1兆元 過程如同修羅場

日本半導體製造商Rapidus在北海道設立晶圓代工廠，日媒透露，若要實現2027年量產2奈米晶片目標，不但缺少4兆日圓資金，還面臨諸多挑戰。Rapidus相關人士說：「將是一場修羅場（戰場）。」

成立於2022年的日本半導體製造商Rapidus正在研發2奈米晶片，是日本最先進半導體國產化的重鎮，預計今年4月開始試產，目標2027年量產。不過，從試產到量產，面臨諸多挑戰，包括調度資金、確立量產技術、開拓顧客等。

●資金缺口大 談增資融資先看試產效果

2022年Rapidus由個人股東14人設立，加上日本的8家企業出資總計73億日圓，後來日本政府以新能源產業技術綜合開發機構（NEDO）委託研發的名義出資，獲得9200億日圓金援，距離所需的5兆日圓，還缺4兆日圓，資金缺口有待增資、融資。

Rapidus去年夏天向8家企業股東洽詢增資意願，NTT（日本電信電話）、Sony Group（索尼集團）、NEC、三菱日聯銀行等大致上同意增資。日本政策投資銀行考慮最多出資1000億日圓、三井住友銀行與瑞穗銀行也考慮最多出資50億日圓。

這些股東可能於2025財會年度以後才出資，但需視Rapidus試產情況再決定出資額。Rapidus正急著開拓出資者，也有可能找上有望成為顧客的海內外企業投資。

Rapidus也考慮融資，但金融機關都面有難色。因為在商言商，倘Rapidus無法量產，便不可能獲得融資。Rapidus期盼日本政府提供更多金援，但有日本政府官員認為，Rapidus有必要展現民間企業自助的努力。

日本一橋大學財政學教授佐藤主光指出，既然是運用公帑就須有根據，接受檢視是否真能對經濟帶來加乘效益。即使政府的支援具「拋磚引玉」效益，可吸引民間資金投資，但民間企業也需負擔風險，不能風險都由國家扛。

●確立量產技術取經歐美大廠 過程猶如修羅場

Rapidus去年12月起安裝荷蘭ASML極紫外光（EUV）曝光設備，是日本境內首度引進EUV曝光設備。Rapidus曝光技術也獲得來自比利時imec（比利時微電子研究中心）的支援。

因技術人員無法馬上就能操作EUV曝光設備，從引進到開始試產至少4個月之間，要克服多重難關，如打仗般嚴峻，Rapidus相關人士形容，「將是一場修羅場」。

在試產2奈米晶片的過程，可能需要採用「環繞式閘極」（GAA）構造或類奈米片（nanosheet）的技術，然後以試產的晶片為基礎，研發製程設計套件（Process Design Kit，PDK），整備基本電路、設計環境。在設計環境的整備方面，將與美國新思科技（Synopsys）、Esperanto Technologies公司合作。

在開發客戶方面，Rapidus正與多家美國西岸的AI半導體企業洽談，並已於去年4月在美國加州聖克拉拉（Santa Clara）設立新公司，開始與新創公司洽談。截至去年底，約與40家公司洽談，美國微軟（Microsoft）、谷歌（Google）等自行研發數據中心用的AI半導體等IT大廠是潛在客戶。

●拚2奈米晶片 Rapidus欲迎頭趕上難度高

日本財經雜誌Diamond於14日刊出2025年總預測的專題報導，包括專訪小池淳義的內容。

小池表示，當前在AI半導體市場，輝達（NVIDIA）獨霸的情形仍不變，但輝達的半導體存在大量耗電的問題，歐美正研發低耗電AI晶片，投入AI半導體市場的公司已有幾十家，或許待Rapidus 2027年開始量產2奈米晶片時，這些公司竄出頭，市場不再是輝達獨霸。

被問及在日本境內生產最先進半導體的意義，小池指出，目前能製造最先進半導體晶片的唯有台積電（TSMC），韓國三星電子製造技術面臨困境，英特爾（Intel）陷入嚴重的經營危機，輝達也是仰賴台積電供應，AI半導體的需求持續增加，愈來愈難滿足這方面的供給。

小池表示，「為了全球的穩定著想，須有台積電以外的選項。身為美國同盟國的日本負起這個角色，在經濟安全保障上相當重要。所以說，Rapidus的責任至為重大」。

僅管小池的使命感強，但Rapidus起步晚，是否能迎頭趕上台積電等半導體大廠，仍是未知數。尤其2奈米晶片是驅動生成人工智慧等高性能電腦所需的利器，預估有很大的需求，因此研發競爭相當激烈。

台灣台積電、韓國三星電子、美國英特爾預定量產2奈米晶片，但日本企業的製造技術還停留在15年前的水準（40奈米世代）。以Rapidus目標量產2奈米晶片的2027年，台積電、三星電子、英特爾已計畫生產新世代1.4奈米晶片。