美晶片投資抵稅細則出爐 台積擴張南京廠恐遇更大挑戰

美國政府發布在美製造晶片業者可申請25%投資抵減稅額的細則，適用範圍僅限晶片製造相關支出，不含廠區停車場和戶外照明設施等裝設支出，並且限制在中國大陸等地的先進和成熟晶片製程產能擴張幅度，成熟製程定義為28奈米，雖有例外情況，卻須知會美國當局。彭博資訊指出，這些限制將讓台積電要擴大南京廠營運時，面臨更多挑戰。

美國國會去年制定稅收減免與晶片製造補貼措施，以強化美國半導體競爭力，財政部和商務部在21日提出稅務抵減規範細則，希望幫助晶片製造商確定自己能否申請稅收抵免，也針對法規的一些關鍵術語提供定義。

投資減稅的申請範圍

華爾街日報（WSJ）報導，符合申請條件的計畫，須以製造半導體或半導體製造設備為主要目的，規範未具體設定這個「主要目的」的計畫營收或生產占比要求數字。財政部一位高級官員說，這代表美國國稅局（IRS）在稽核申請稅務抵免的企業時，能查看每個項目，並評估主要目的。

這項法規也指出，稅務抵減只適用於聯邦政府希望補貼鼓勵的製造成本。官員說，這些新規範釐清，廠區的停車場和戶外照明設施等裝設支出，不能申請抵稅。

財政部官員表示，這些晶片稅務抵減適用於今年開始運作的投資，但只限在去年8月晶片法被簽署成法律後所進行的投資，讓企業有彈性能夠升級廠房、也符合申請資格。

Snap公司已請求政府確保廠區設計支出也能申請稅務減免，主張設計是製造的關鍵。不過，官員說，試著想決定設計和研究設施是否滿足申請要求的企業，須諮詢稅務顧問，而用途與製造相連結的研究設施，符合申請資格。

若企業未積欠所得稅，也能取得稅務抵免，將從聯邦政府獲得淨支付。財政部正在規劃這些可退稅抵減措施運作機制的未來規範，因為其他醫療保健和氣候法規也都出現這類減稅措施。

限制在中國大陸等地擴張

財政部官員說，這項晶片減稅法案也包含限制資金流往特定外國實體的條款，適用於恐怖組織、北韓、中國大陸、俄羅斯及伊朗，財政部和商務部已攜手決定這些限制與定義。

晶片法禁止取得稅務優惠業者在「關切外國國家」涉及「大幅擴張」先進晶片製造產能的「大規模交易」，包括建設新設施或擴張現有設施，期限為十年。財政部和商業部規範對「大規模交易」的定義為至少10萬美元，「大幅擴張」的定義是提高設施產能5%。

新規範也限制取得優惠業者的成熟製程產能擴張幅度，禁止設置新產線、或提高現有設施的產能超過10%。彭博資訊指出，這項規範適用於28奈米或較不先進的晶片製程。雖然28奈米晶片製程比目前的最先進製程落後好幾代，但能被廣泛用於汽車和智慧手機等多種產品。

此外，取得優惠的業者只有符合一個條件，才能興建新的成熟製程設施，也就是必須主宰當地市場，納入當地最終產品的晶片產出比率至少要達85%。

官員說，若已向商務部取得出口許可證的企業，仍能升級現有設施以生產更先進的半導體，例如取得投資稅務抵減的業者，對廠區的技術升級能包含生產更小節點尺寸的邏輯晶片、或擴增記憶體晶片的層數。商務部表示，在這些例外情況下，打算擴張成熟製程晶片設施的業者，必須知會商務部，以確認遵從美國的國安護欄。

彭博資訊指出，這些新限制將讓台積電要擴張南京的16奈米與28奈米晶片廠時，面臨更多挑戰。台積電總裁魏哲家去年10月已說，從美國取年一年期的許可證，能繼續在中國大陸生產。

南韓當局則認為，美國對晶片投資所設下的新「護欄」，將允許晶片業者對在中國大陸的晶片廠部分提高產能與升級技術，因為並未限制對升級晶片製造製程的投資，也未限制替換晶片設備的投資，因此三星電子和SK海力士將能升級在中國大陸的產線。

中央社報導，負責執行晶片法的美國部會21日起派遣官員到台灣、南韓及日本。

其他限制

美國釐清攸關國安的半導體清單，設定比其他成熟製程晶片更嚴格的管制，包括中國大陸過去幾年重視的複合半導體，例如用於量子資訊系統的晶片、專精軍事能力的晶片、以及為高放射線濃度環境設計的晶片。

取得優惠業者也不得和外國關切國家共同從事研究或授權技術，將涵蓋兩人以上的研發團隊，技術授權的定義則是達成把專利、商業機密、或專業知識（knowhow）分享給另一方的協議。

同時，外國關切實體清單也被擴大，納入商務部時體清單、財政部的中國大陸均是企業清單、還有聯邦通訊傳播委員會（FCC）設備和服務會造成國安風險的業者清單，大概包含中國大陸的最大科技公司，包括華為、商湯科技以及長江存儲。