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三星砸20兆韓元動工晶片研發聚落 李在鎔特赦後首露面

三星電子副會長李在鎔。歐新社
三星電子副會長李在鎔。歐新社

為鞏固先進晶片技術的領先地位,三星電子準備斥資20兆韓元(150億美元)打造一個新的半導體研發聚落。三星19日舉行研發中心的動土典禮,副會長李在鎔也親臨現場,是他獲特赦以來首次公開露面。

韓聯社報導,三星電子計劃在2028年前投資約20兆韓元,在首爾南方的龍仁市器興區興建一座占地10.9萬平方公尺的研發中心,料將有助三星在記憶體和系統半導體的先進研究領域取得領先。

約100名三星高階主管和員工參加這場動土典禮,包含上周獲總統尹錫悅特赦的李在鎔以及三星裝置解決方案部門執行長慶桂顯。

李在鎔說:「這是我們40年前首次興建半導體廠的地方,如今我們要發起新的挑戰。若當初沒有大膽為下一代產品進行研發投資,三星半導體如今也不會存在,讓我們繼續維持先期投資的傳統,『讓我們用世界上不存在的技術來創造未來』。」

在1983年,器興園區成為三星半導體事業的發源地,而三星於1992年在此地研發出全球第一個容量64 Mb的動態隨機存儲記憶體(DRAM)。

產業觀察家認為,三星集團實質領導人李在鎔親赴現場主持動工典禮,象徵他致力提升南韓的半導體實力,以協助南韓應對近來的經濟困境。

半導體 李在鎔 特赦 三星電子 南韓

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