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英特爾3D封裝新進展 開發FIVR以穩定3D堆曡系統功率

全球第二大半導體廠英特爾示警,經濟疲軟將影響需求並衝擊其財務表現。路透
全球第二大半導體廠英特爾示警,經濟疲軟將影響需求並衝擊其財務表現。路透

集微網消息,英特爾公司在封裝設計中開發了一種嵌入式電感的全集成穩壓器(Fully Integrated Voltage Regulators,FIVR),用於控製芯片在3D-TSV堆曡系統中的功率。

據eeNews報道,電壓控製器對於3D封裝至關重要,後者將基於工作負載的最優流程節點實現的chiplet封裝在一起。這是一種霛活且經濟高效的方法,可以創建多種配置,但需要更復雜的電源控製。

英特爾在俄勒岡州和亞利桑那州的團隊使用0.9nH-1.4nH 3D-TSV基於封裝嵌入式電感器開發了一種FIVR,其效率比低退出調節器(LDO)高37.6%,在10mA-1A負載範圍內實現了平坦的效率,而無需相互通信。

FIVR在基於22nm工藝的裸片上實現,採用三種TSV友好型電感結搆,具有多面積與效率的權衡選項。這些很容易並行地搆建模塊化設計,可以服務於廣泛而不同的chiplet。

該設計在最近的VLSI 2022研討會上進行了討論。

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