三星宣佈量產14奈米EUV DDR5 DRAM

集微網消息,三星電子今(12)日宣佈已開始量產基於極紫外光(EUV)制程技術的14奈米DRAM,繼該公司於去年3月推出業界首款EUV DRAM後,三星已將EUV層的數量增加到5層,以為其DDR5解決方案提供當今最好、最先進的DRAM工藝。

據悉,隨著DRAM不斷縮小,EUV技術對於提高圖形精度以獲得更高性能和更高產量變得越來越重要。三星電子在14奈米 DRAM上使用了5層EUV,實現了最高的位密度,同時將整體晶圓生產效率提高了約20%。此外,與上一代DRAM節點相比,14奈米工藝可以降低近20%的功耗。

根據最新DDR5標準顯示,三星的14奈米DRAM將開創過去產品所未有的傳輸速度,速度高達7.2Gbps,是DDR4的兩倍多。

三星計劃擴大其14奈米DDR5產品組郃,以支持數據中心、超級計算機和企業服務器應用。此外,三星希望將其14奈米DRAM晶片密度提高到24Gb,以更好地滿足全球IT系統快速增長的數據需求。

三星電子高級副總裁兼 DRAM產品與技術負責人 Jooyoung Lee 表示:“通過開創性的關鍵模式技術創新,我們已經引領了近30年的DRAM市場。如今,三星正在通過多層EUV建立起另一個技術的里程碑,實現更加微型化的14奈米工藝,這是傳統氟化氬 (ArF) 制程無法做到的。在此基礎上,我們將繼續為 5G、AI 和虛擬世界中需要更高性能和更大容量的數據敺動計算,提供最具差異化的內存解決方案。”

AI

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