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三星將發表新記憶體晶片 速度提高一倍 省電13%

三星電子今年將發表新一代記憶體晶片,為七年來首見。(歐新社)
三星電子今年將發表新一代記憶體晶片,為七年來首見。(歐新社)

為以滿足資料中心和人工智慧(AI)的需求成長,全球記憶體晶片龍頭三星電子今年稍後將發表新一代記憶體晶片,為七年來首見。該公司表示,這款新晶片的速度將提高一倍,容量也更大。

三星25日表示,已研發出業界首個採用高介電層/金屬閘極(HKMG)製程的512GB DDR5記憶體模組。根據聲明內容,DDR5記憶體速度是目前DDR4的兩倍,能降低漏電功耗,以及省電13%。

三星預期今年下半年將開始改採DDR5。晶片產業預期,英特爾代號為Sapphire Rapids的下一代Xeon Scalable處理器將支援DDR5。彭博報導,除了與全球兩大中央處理器(CPU)製造商英特爾和超微(AMD)合作外,三星已寄送這款新記憶體晶片的樣本,給資料中心平台開發商。

彭博行業研分析師說,一個新DRAM世代將在2021年稍晚或2022年登場,為六至七年來首見。新晶片的速度更快、耗電更少,而且可靠性更高,將在即將到來的AI世紀,提供高效能的運算。

三星DRAM記憶體企業副總裁孫寧洙(音譯)表示,DDR5應用的領域包括醫療研究、金融市場、自駕車、智慧城市等。

分析師預估,DDR5晶片將比DDR4大20%,將加重半導體供應鏈的壓力。三星打算今年開始出貨,並逐步增進製程技術。三星並預期,DDR5最快將在2023年下半年取代DDR4。

集邦科技(TrendForce)副總經理吳雅婷說:「隨著DDR5的滲透率逐漸上升,DRAM短缺情況估計將持續到2022年,我們預期價格最初將上漲30%至40%。」

AI 半導體

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