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傳iPhone的LTE將大進步 英特爾是贏家

2017-11-20 10:54中央社 台北20日電

11月3日,在美國紐約一家蘋果專賣店,一名顧客在體驗iPhone X樣機。 新華...
11月3日,在美國紐約一家蘋果專賣店,一名顧客在體驗iPhone X樣機。 新華社
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iPhone X開賣不久,市場已將目光轉向明年新iPhone。外媒引述分析師預估,明年新iPhone將具備DSDS功能,LTE傳輸速度可大幅提升,英特爾(Intel)是基頻晶片大贏家。

國外科技網站MacRumors引述凱基投顧分析師郭明錤報告指出,蘋果西元2018年推出新一代iPhone機種,將搭配英特爾或高通(Qualcomm)新一代基頻晶片,可讓新一代iPhone的LTE傳輸速度更佳。

報導引述指出,新iPhone的LTE晶片可支援4x4多入多出(MIMO)天線技術,今年9月新推出的iPhone,支援2x2的MIMO天線規格,郭明錤認為這將大幅提升明年下半年新款iPhone在LTE傳輸速度。

觀察明年新款iPhone基頻晶片分布比重,報導引述郭明錤報告預估,英特爾提供的基頻晶片,將占明年新款iPhone所需70%到80%比重,甚至更高。

郭明錤預期明年新款iPhone將進一步支援雙卡雙待DSDS(dual-SIM dual standby)功能,預期能具備LTE+LTE連結。報導指出,這意味新款iPhone內建的2張SIM卡,可透過一組晶片同時運作。

郭明錤日前報告推測,蘋果明年下半年將推出3款新iPhone,分別是6.5吋與5.8吋的有機發光二極體(OLED)螢幕機種,與6.1吋的TFT-LCD螢幕機種。其中2款新OLED機種針對高階市場,新款TFT-LCD機種針對中低階市場。

郭明錤先前預期明年iPhone整體出貨量可達2.45億支到2.55億支,年成長約10%到20%。

iPhone英特爾

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